2SC3583-T1B-A Renesas Electronics America Inc Transistoren – Bipolar (BJT) – HF

Hersteller: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Obsolete
Transistortyp: NPN
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V
Frequenz - Übergang: 9GHz
Rauschmaß (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Gewinnen: 13dB
Leistung – Max.: 200mW
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 65mA
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket des Lieferanten: SOT23-3 (TO-236)