2SC5455-T1-A Renesas Electronics America Inc Transistoren – Bipolar (BJT) – HF

Hersteller: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Obsolete
Transistortyp: NPN
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V
Frequenz - Übergang: 12GHz
Rauschmaß (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz
Gewinnen: 10dB
Leistung – Max.: 200mW
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 30mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: TO-253-4, TO-253AA
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-143