NE662M04-T2-A Renesas Transistoren – Bipolar (BJT) – HF

Hersteller: Renesas
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Last Time Buy
Transistortyp: NPN
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 3.3V
Frequenz - Übergang: 25GHz
Rauschmaß (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz
Gewinnen: 17dB
Leistung – Max.: 115mW
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 35mA
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: SOT-343F
Gerätepaket des Lieferanten: M04