NE85639-T1-A Renesas Transistoren – Bipolar (BJT) – HF

Hersteller: Renesas
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Last Time Buy
Transistortyp: NPN
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V
Frequenz - Übergang: 7GHz
Rauschmaß (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Gewinnen: 13dB
Leistung – Max.: 200mW
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: TO-253-4, TO-253AA
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-143