NTE224 NTE Electronics, Inc Transistoren – Bipolar (BJT) – HF

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V
Frequenz - Übergang: 300MHz
Rauschmaß (dB Typ @ f): -
Gewinnen: -
Leistung – Max.: 10W
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A
Betriebstemperatur: 175°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-39 W/flange?
Gerätepaket des Lieferanten: TO-39 W/flange?