BF888H6327 Infineon Technologies Transistoren – Bipolar (BJT) – HF

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4V
Frequenz - Übergang: 47GHz
Rauschmaß (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Gewinnen: 27dB
Leistung – Max.: 160mW
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 25A, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: SC-82A, SOT-343
Gerätepaket des Lieferanten: PG-SOT343-4-2