HFA3096BZ Renesas Electronics America Inc Transistoren – Bipolar (BJT) – HF

Hersteller: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
Transistortyp: 3 NPN + 2 PNP
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, 15V
Frequenz - Übergang: 8GHz, 5.5GHz
Rauschmaß (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
Gewinnen: -
Leistung – Max.: 150mW
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 65mA
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 16-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten: 16-SOIC
Basisproduktnummer: HFA3096