TTA0002(Q) Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
Transistortyp: PNP
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 18 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 160 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 900mA, 9A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Leistung – Max.: 180 W
Frequenz - Übergang: 30MHz
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-3PL
Gerätepaket des Lieferanten: TO-3P(L)
Basisproduktnummer: TTA0002