2N5210TA onsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: onsemi
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100 mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V
Leistung – Max.: 625 mW
Frequenz - Übergang: 30MHz
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Gerätepaket des Lieferanten: TO-92-3