NTE154 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 300 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 2mA, 20mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 20V
Leistung – Max.: 1 W
Frequenz - Übergang: 50MHz
Betriebstemperatur: 200°C
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Gerätepaket des Lieferanten: TO-39