NTE251 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 10A, 3V
Leistung – Max.: 160 W
Frequenz - Übergang: -
Betriebstemperatur: -65°C~200°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-204AA, TO-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-3