NTE396 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 350 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20µA
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Leistung – Max.: 1 W
Frequenz - Übergang: 15MHz
Betriebstemperatur: -65°C~200°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Gerätepaket des Lieferanten: TO-39