BC858BWH6327 Infineon Technologies Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
Transistortyp: PNP
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100 mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Leistung – Max.: 250 mW
Frequenz - Übergang: 250MHz
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: SC-70, SOT-323
Gerätepaket des Lieferanten: PG-SOT323-3-1