NTE126A NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: PNP
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 11.5 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 1V
Leistung – Max.: 150 mW
Frequenz - Übergang: 300MHz
Betriebstemperatur: -65°C~100°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Gerätepaket des Lieferanten: TO-18