NTE2593 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10 mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 2.1 kV
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 200µA, 1mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 500µA, 5V
Leistung – Max.: 2 W
Frequenz - Übergang: 6MHz
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220