NTE342 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 17 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 10V
Leistung – Max.: 1.5 W
Frequenz - Übergang: -
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220