NTE162 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 325 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 500mA, 2.5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2.5mA
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 2.5A, 5V
Leistung – Max.: 125 W
Frequenz - Übergang: 2.5MHz
Betriebstemperatur: -65°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-204AA, TO-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-3