NTE199 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Box
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100 mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 125mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 30nA
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 2mA, 5V
Leistung – Max.: 360 mW
Frequenz - Übergang: -
Betriebstemperatur: -55°C~125°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gerätepaket des Lieferanten: TO-92