PBSS4130QAZ NXP Semiconductors Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NXP Semiconductors
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 245mV @ 50mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Leistung – Max.: 325 mW
Frequenz - Übergang: 190MHz
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 3-XDFN Exposed Pad
Gerätepaket des Lieferanten: DFN1010D-3