PDTA143EMB,315 NXP USA Inc. Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NXP USA Inc.
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
Transistortyp: PNP
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100 mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Leistung – Max.: 250 mW
Frequenz - Übergang: 180MHz
Betriebstemperatur: -
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: SC-101, SOT-883
Gerätepaket des Lieferanten: DFN1006B-3