2N708 Microchip Technology Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: Microchip Technology
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 25nA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 1V
Leistung – Max.: 360 mW
Frequenz - Übergang: -
Betriebstemperatur: -65°C~200°C(TA)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Gerätepaket des Lieferanten: TO-18 (TO-206AA)