2N911 Microchip Technology Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: Microchip Technology
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V
Leistung – Max.: 800 mW
Frequenz - Übergang: 50MHz
Betriebstemperatur: -65°C~200°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Gerätepaket des Lieferanten: TO-18 (TO-206AA)