DXTN58100CFDB-7 Diodes Incorporated Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: Diodes Incorporated
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Leistung – Max.: 690 mW
Frequenz - Übergang: 150MHz
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 3-UDFN Exposed Pad
Gerätepaket des Lieferanten: U-DFN2020-3 (Type B)