NTE16007 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 40mA, 750mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15µA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 750mA, 4V
Leistung – Max.: 25 W
Frequenz - Übergang: -
Betriebstemperatur: -65°C~200°C
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-233AA, TO-8-3 Metal Can
Gerätepaket des Lieferanten: TO-8