NTE330 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 25 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 4A, 25A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 300µA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 4V
Leistung – Max.: 87.5 W
Frequenz - Übergang: -
Betriebstemperatur: -65°C~90°C(TJ)
Montageart: Stud Mount
Verpackung / Koffer: TO-36 (2 Leads + Case)
Gerätepaket des Lieferanten: TO-36