NTE105 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: PNP
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2A, 12A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 8mA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 2V
Leistung – Max.: 150 W
Frequenz - Übergang: -
Betriebstemperatur: -65°C~100°C(TJ)
Montageart: Stud Mount
Verpackung / Koffer: TO-36 (2 Leads + Case)
Gerätepaket des Lieferanten: TO-36