NTE81 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500 mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 30mA, 300mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Leistung – Max.: 625 mW
Frequenz - Übergang: 250MHz
Betriebstemperatur: -65°C~200°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-99-6 Metal Can
Gerätepaket des Lieferanten: TO-99