NTE256 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 28 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 5.6A, 28A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10A, 5V
Leistung – Max.: 150 W
Frequenz - Übergang: -
Betriebstemperatur: 175°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-218-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-218