NTE190 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 180 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 20mA, 200mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 10V
Leistung – Max.: 10 W
Frequenz - Übergang: 35MHz
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-202 Long Tab
Gerätepaket des Lieferanten: TO-202N