NTE123A-10 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 800 mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Leistung – Max.: 1.2 W
Frequenz - Übergang: 300MHz
Betriebstemperatur: -65°C~200°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Gerätepaket des Lieferanten: TO-18