NTE131MP NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: PNP
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 32 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 100mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 36 @ 1A, 0V
Leistung – Max.: 6 W
Frequenz - Übergang: -
Betriebstemperatur: 90°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-213AA, TO-66-2
Gerätepaket des Lieferanten: TO-66