NTE283 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 325 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3.3V @ 2.5A, 8A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 2.5A, 10V
Leistung – Max.: 100 W
Frequenz - Übergang: 10MHz
Betriebstemperatur: 200°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-204AA, TO-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-3