NTE58 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 17 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 200 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 10A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 4V
Leistung – Max.: 200 W
Frequenz - Übergang: 20MHz
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: 3-SIP
Gerätepaket des Lieferanten: 3-SIP