NTE97 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.9V @ 1A, 10A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2.5A, 5V
Leistung – Max.: 150 W
Frequenz - Übergang: -
Betriebstemperatur: -65°C~200°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-204AA, TO-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-3