2N5686 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 2.5A, 25A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V
Leistung – Max.: 300 W
Frequenz - Übergang: 2MHz
Betriebstemperatur: -65°C~200°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-204AE
Gerätepaket des Lieferanten: TO-204 (TO-3)