NTE328 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 25 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 120 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 2.5A, 25A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 2V
Leistung – Max.: 200 W
Frequenz - Übergang: 40MHz
Betriebstemperatur: -65°C~200°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-204AA, TO-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-3