NTE101 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 300 mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 6µA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V
Leistung – Max.: 150 mW
Frequenz - Übergang: -
Betriebstemperatur: 85°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Gerätepaket des Lieferanten: TO-5