NTE2300 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 800 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 800mA, 4A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 1A, 5V
Leistung – Max.: 120 W
Frequenz - Übergang: 3MHz
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-3P-3, SC-65-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-3P