NTE2581 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 12 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1.6A, 8A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.6A, 5V
Leistung – Max.: 1.75 W
Frequenz - Übergang: 20MHz
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220