NTE240 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: PNP
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500 mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 300 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 3mA, 30mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200nA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V
Leistung – Max.: 1 W
Frequenz - Übergang: 60MHz
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-202 Long Tab
Gerätepaket des Lieferanten: TO-202N