TIP147 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: PNP
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Leistung – Max.: 125 W
Frequenz - Übergang: -
Betriebstemperatur: -65°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-218-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-218