NTE104 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: PNP
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 400mA, 4A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 2V
Leistung – Max.: 90 W
Frequenz - Übergang: 300kHz
Betriebstemperatur: 100°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-204AA, TO-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-3