NTE14 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: PNP
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 700 mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Leistung – Max.: 750 mW
Frequenz - Übergang: 100MHz
Betriebstemperatur: 135°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: 3-SIP
Gerätepaket des Lieferanten: 3-SIP