2N4870 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: PNP
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: -
Leistung – Max.: 300 mW
Frequenz - Übergang: -
Betriebstemperatur: -65°C~125°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gerätepaket des Lieferanten: TO-92