NTE378 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: PNP
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Leistung – Max.: 1.67 W
Frequenz - Übergang: 40MHz
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220