NTE255 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500 mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 300 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10V
Leistung – Max.: 850 mW
Frequenz - Übergang: 300MHz
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-237AA
Gerätepaket des Lieferanten: TO-237