NTE171 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100 mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 300 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO)
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V
Leistung – Max.: 1.67 W
Frequenz - Übergang: 50MHz
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-202 Long Tab
Gerätepaket des Lieferanten: TO-202