NTE16001 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50 mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 10V
Leistung – Max.: 600 mW
Frequenz - Übergang: 500MHz
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: 3-SIP
Gerätepaket des Lieferanten: 3-SIP