2N6039 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4 A
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
Leistung – Max.: 40 W
Frequenz - Übergang: -
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-225AA, TO-126-3
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-32-3