NTE233 NTE Electronics, Inc Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
Transistortyp: NPN
Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100 mA
Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30 V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100µA, 20mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA
DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 10V
Leistung – Max.: 625 mW
Frequenz - Übergang: 700MHz
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Verpackung / Koffer: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gerätepaket des Lieferanten: TO-92